BS107PSTZ, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 0,12А, 0,5Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031403670
- Артикул
- BS107PSTZ
- Бренд
- DIODES INC.
- Case
- TO92
- Type:
- FET
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- Automotive, AEC-Q101
Цена по запросу
(от 135,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Type: | FET |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Series: | BS107 |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | THT |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Packaging: | Ammo Pack |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.5 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 0.12A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | E-Line-3 |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | Ammo Pack |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-92-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power dissipation | 0.5W |
| Product Category: | MOSFET |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 23Ω |
| Drain-source voltage | 200V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 Ohm @ 100mA, 5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Power Dissipation (Max) | 500mW(Ta) |
| Supplier Device Package | E-Line(TO-92 compatible) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 Ohms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 85pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.6V, 5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 120mA(Ta) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |