Моя заявка (0)

BRD4N65, 650V 4A 75W 2.7-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015761421
Артикул
BRD4N65
Бренд
Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
Type
N Channel
Вес, г
0.45
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 17 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В, 4 А, 75 Вт 2.7Ohm@10V,2 4 В при 250 мкА N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.45
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)75W
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current (Id)4A
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт75
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.7Ω@10V, 2A

Техническая документация