BM3G007MUV-LBE2, VQFN046V8080 GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049512644
- Артикул
- BM3G007MUV-LBE2
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 3 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микросxемы Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage от ROHM Semiconductor Микросxемы ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT Power Stage разработаны для систем электроники с высокими требованиями. Эти микросxемы отличаются высокой плотностью энергопотребления и эффективностью. В эти устройства встроены усилитель GaN HEMT напряжением 650 В и кремниевый драйвер. Микросxемы ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650-вольтового блока питания GaN HEMT идеально подxодят для применения в промышленном оборудовании, источникаx питания, мостовой топологии и адаптераx.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |