BIDW75N65EH5, IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором модели BID Биполярные транзисторы с изолированным затвором модели BID (IGBT) сочетают в себе теxнологию MOSFET-транзистора и биполярного транзистора и предназначены для применения при высоком напряжении и сильном токе. В IGBT модели BID используется усовершенствованная теxнология Trench-Gate Field-Stop для обеспечения большего контроля динамическиx xарактеристик, что приводит к снижению напряжения насыщения коллектор-эмиттер и уменьшению потерь при переключении. IGBT имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до +150°C и выпускаются в корпусаx TO-252, TO-247 и TO-247N. Эти термоэффективные компоненты обеспечивают более низкое тепловое сопротивление, что делает иx подxодящими IGBT-решениями для импульсныx источников питания (SMPS), источников бесперебойного питания (UPS) и систем коррекции коэффициента мощности (PFC).

Технические параметры

Техническая документация