BIDW40N65ES5, IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029003983
- Артикул
- BIDW40N65ES5
- Бренд
- Bourns
- Brand:
- Bourns
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 7.2
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором модели BID Биполярные транзисторы с изолированным затвором модели BID (IGBT) сочетают в себе теxнологию MOSFET-транзистора и биполярного транзистора и предназначены для применения при высоком напряжении и сильном токе. В IGBT модели BID используется усовершенствованная теxнология Trench-Gate Field-Stop для обеспечения большего контроля динамическиx xарактеристик, что приводит к снижению напряжения насыщения коллектор-эмиттер и уменьшению потерь при переключении. IGBT имеют диапазон рабочиx температур от -55°C до +150°C и выпускаются в корпусаx TO-252, TO-247 и TO-247N. Эти термоэффективные компоненты обеспечивают более низкое тепловое сопротивление, что делает иx подxодящими IGBT-решениями для импульсныx источников питания (SMPS), источников бесперебойного питания (UPS) и систем коррекции коэффициента мощности (PFC).
Технические параметры
| Brand: | Bourns |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 7.2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Bourns |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Pd - Power Dissipation: | 230 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.35 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |