Моя заявка (0)
BIDW20N60T, IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012583059
Артикул
BIDW20N60T
Бренд
Bourns
Brand:
Bourns
Series:
BID
Packaging:
Tube
Вес, г
0.029
Цена по запросу
(от 742 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

IGBT-устройство Bourns сочетает в себе теxнологию МОП-затвора и биполярного транзистора, что обеспечивает оптимальный компонент для применения при высоком напряжении и сильном токе.

Технические параметры

Brand:Bourns
Series:BID
Packaging:Tube
Вес, г0.029
Technology:Si
Package TypeTO-247
Subcategory:IGBTs
ConfigurationSingle Diode
Manufacturer:Bourns
Product Type:IGBT Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-247-3
Product Category:IGBT Transistors
Number of Transistors1
Pd - Power Dissipation:192 W
Maximum Power Dissipation192 W
Maximum Gate Emitter Voltage±20V
Gate-Emitter Leakage Current:400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage:-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Collector Emitter Voltage600 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V
Continuous Collector Current Ic Max:40 A
Maximum Continuous Collector Current20 A
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C:40 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:30

Техническая документация