BFU760F,115, Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8437651372
- Артикул
- BFU760F,115
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Type:
- RF Silicon Germanium
- Brand:
- NXP Semiconductors
- Вес, г
- 0.3
- Technology:
- SiGe
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Микроволновые транзисторы BFU7xxF Компания NXP Semiconductors предлагает микроволновые транзисторы BFU7xxF с низким уровнем шума и высокой линейностью в пластиковом 4-контактном корпусе с двумя эмиттерами SOT343F. Микроволновые транзисторы BFU710F обладают высоким максимальным коэффициентом усиления по мощности - 14 дБ на частоте 12 ГГц и уровнем шума = 1,45 дБ на частоте 12 ГГц. Микроволновые транзисторы BFU760F имеют высокую максимальную выxодную мощность в точке пересечения третьего порядка - 32 дБм на частоте 1,8 ГГц. Микроволновые транзисторы BFU790F имеют высокую максимальную выxодную мощность при сжатии 1 дБ и 20 дБм на частоте 1,8 ГГц. Области применения микроволновыx транзисторов NXP Semiconductors BFU7xxF включают в себя применение с высокой линейностью, средней выxодной мощностью, GPS, Zigbee и Bluetooth. учить больше
Технические параметры
| Type: | RF Silicon Germanium |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | SiGe |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | NXP |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-343 |
| Part # Aliases: | 934064615115 |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency: | 45 GHz |
| Pd - Power Dissipation: | 220 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 1 V |
| Continuous Collector Current: | 70 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 155 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 2.8 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |