Моя заявка (0)

BFU725F/N1,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F

BFU725F/N1,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654676
Артикул
BFU725F/N1,115
Бренд
NXP Semiconductor
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
NPN
Material
SiGe
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
TypeNPN
MaterialSiGe
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.3
PCB changed4
Part StatusLTB
ConfigurationSingle Dual Emitter
Package Width1.35(Max)
Package Length2.2(Max)
Supplier PackageSO
Структураnpn
Standard Package NameSO
Minimum DC Current Gain160@10mA@2V
Typical Power Gain (dB)28(Max)
Maximum Noise Figure (dB)1.1(Typ)
Number of Elements per Chip1
Operational Bias Conditions2V/25mA
Minimum DC Current Gain Range120 to 200
Maximum Power Dissipation (mW)136
Typical Input Capacitance (pF)0.4
Typical Output Capacitance (pF)0.07
Maximum DC Collector Current (A)0.04
Maximum Emitter Base Voltage (V)1
Maximum Collector Base Voltage (V)10
Maximum Transition Frequency (MHz)55000(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Maximum Power 1dB Compression (dBm)9(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)2.8
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum DC Collector Current Range (A)0.001 to 0.06
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)19(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)<20

Техническая документация