BFU660F,115, Транзистор NPN-HF 5,5В 60мA 225мВт 21ГГц SOT343F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060287910
- Артикул
- BFU660F,115
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Type:
- RF Bipolar Small Signal
- Brand:
- NXP Semiconductors
- Вес, г
- 0.3
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 161,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Type: | RF Bipolar Small Signal |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | NXP |
| Package/Case: | SOT-343F-4 |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934064611115 |
| Transistor Type: | Bipolar Wideband |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency: | 21 GHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
| Gain Bandwidth Product fT: | 21 GHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2.5 V |
| Continuous Collector Current: | 30 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 60 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 90 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 5.5 V |