Моя заявка (0)

BFU610F,115, Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin DFP T/R

BFU610F,115, Trans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin DFP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001214441
Артикул
BFU610F,115
Бренд
NXP Semiconductor
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
NPN
Цена по запросу
(от 70 ₽)
Минимальный заказ: 1329 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Trans RF BJT NPN 5,5В 0,01 А 136 МВт 4-контактный (3+Tab) DFP T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
TypeNPN
MaterialSi
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveNo
Вес, г0.3
PCB changed3
Part StatusActive
ConfigurationSingle
Package Width1.35(Max)
Package Length2.2(Max)
Supplier PackageDFP
Структураnpn
Standard Package NameDFP
Minimum DC Current Gain90@1mA@2V
Typical Power Gain (dB)26
Maximum Noise Figure (dB)1.7(Typ)
Number of Elements per Chip1
Operational Bias Conditions2V/10mA
Minimum DC Current Gain Range50 to 120
Maximum Power Dissipation (mW)136
Typical Input Capacitance (pF)0.227
Typical Output Capacitance (pF)0.019
Maximum DC Collector Current (A)0.01
Maximum Emitter Base Voltage (V)2.5
Maximum Collector Base Voltage (V)16
Maximum Transition Frequency (MHz)15000(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Maximum Power 1dB Compression (dBm)3.5(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)5.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)100
Maximum DC Collector Current Range (A)0.001 to 0.06
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)<20

Техническая документация