BFU590GX, Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 0,2А, 2Вт, SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048171555
- Артикул
- BFU590GX
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Gain
- 8dB
- Type:
- Wideband RF Transistor
- Brand:
- NXP Semiconductors
- Family
- Transistors-Bipolar(BJT)-RF
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярный транзистор NPN 12В 200мА 2Вт Кус 60-130 8,5ГГц
Технические параметры
| Gain | 8dB |
| Type: | Wideband RF Transistor |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-RF |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Вес, г | 0.4 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-223 |
| Manufacturer: | NXP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-223-4 |
| Part # Aliases: | 934067975115 |
| Transistor Type | NPN |
| Standard Package | 1 |
| Transistor Type: | Bipolar Wideband |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency: | 900 MHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Frequency - Transition | 8.5GHz |
| Pd - Power Dissipation: | 2000 mW |
| Supplier Device Package | SC-73 |
| DC Current Gain hFE Max: | 130 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 8.5 GHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
| Continuous Collector Current: | 80 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 300 mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| кол-во в упаковке | 1000 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 16 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 80mA, 8V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 60…130 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 8000 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 24 |