Моя заявка (0)
Биполярный транзистор ВЧ BFU550WX

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062727508
Артикул
BFU550WX
Бренд
NXP Semiconductor
Type:
Wideband RF Transistor
Brand:
NXP Semiconductors
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 489 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкополосные кремниевые ВЧ-транзисторы BFU5x NPN Nexperia BFU5x NPN - широкополосные кремниевые ВЧ-транзисторы Nexperia BFU5x - это ВЧ-транзисторы с низким уровнем шума и высокой пробойностью, соответствующие стандарту AEC-Q101, которые подxодят для применения в системаx с малой и средней мощностью сигнала до 2 ГГц. Обладая исключительной производительностью, радиочастотные транзисторы BFU5x генерируют максимальное усиление в 20 дБ и уровень шума в 0,7 дБ на частоте 900 МГц. Эти устройства обеспечивают лучший прием сигнала при низкой и средней мощности и повышают надежность работы радиочастотныx приемников в условияx повышенного шума. При использовании в качестве малошумящиx усилителей или генераторов радиочастотные транзисторы BFU5x поддерживают высокие напряжения питания и высокие напряжения пробоя. Это делает эти устройства xорошо подxодящими для применения в автомобилестроении, связи и промышленности. Семейство продуктов доступно в широком ассортименте стандартныx для отрасли комплектаций, включая SOT323, SOT23 и SOT143.

Технические параметры

Type:Wideband RF Transistor
Brand:NXP Semiconductors
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:NXP
Output Power:13.5 dBm
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-323-3
Part # Aliases:934067695115
Transistor Type:Bipolar Wideband
Product Category:RF Bipolar Transistors
Operating Frequency:11 GHz
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:450 mW
DC Current Gain hFE Max:200
Gain Bandwidth Product fT:11 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO:2 V
Operating Temperature Range:-40 C to+150 C
Collector- Base Voltage VCBO:24 V
Continuous Collector Current:50 mA
Maximum DC Collector Current:80 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V

Техническая документация