Моя заявка (0)

BFU550WF, Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323

BFU550WF, Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8797004154
Артикул
BFU550WF
Бренд
NXP Semiconductor
RoHS
Details
Brand
NXP Semiconductors
Type:
Wideband RF Transistor
Brand:
NXP Semiconductors
Цена по запросу
(от 135 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ВЧ-ТРАНЗИСТОР, АВТОМАТИЧЕСКИЙ, NPN, 12 В, SOT323; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектора-эмиттера, V(br) ceo:12 В; Частота переxода ft: 11 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd: 450 МВт; Ток коллектора постоянного тока:50 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:60hFE; ВЧ-транзистор

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNXP Semiconductors
Type:Wideband RF Transistor
Brand:NXP Semiconductors
PackagingReel
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г0.3
Technology:Si
ManufacturerNXP
Subcategory:Transistors
Корпусsot-323
Manufacturer:NXP
Output Power:13.5 dBm
Package/Case:SOT-323-3
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934067695135
Product CategoryRF Bipolar Transistors
Transistor Type:Bipolar Wideband
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Operating Frequency:11 GHz
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity10000
Factory Pack Quantity:10000
Pd - Power Dissipation:450 mW
DC Current Gain hFE Max:200
Gain Bandwidth Product fT:11 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO:2 V
Operating Temperature Range:-40 C to+150 C
Collector- Base Voltage VCBO:24 V
Continuous Collector Current:50 mA
Maximum DC Collector Current:80 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-40 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V

Техническая документация