Биполярный транзистор ВЧ BFU520AR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062727506
- Артикул
- BFU520AR
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Gain
- 18dB
- Type:
- Wideband RF Transistor
- Brand:
- NXP Semiconductors
- Family
- Transistors-Bipolar(BJT)-RF
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Широкополосные кремниевые радиочастотные транзисторы BFU5x NPN Широкополосные кремниевые ВЧ-транзисторы Nexperia BFU5x NPN - это ВЧ-транзисторы с низким уровнем шума и высокой пробойностью, соответствующие стандарту AEC-Q101 и подxодящие для приложений с малой и средней мощностью сигнала до 2 ГГц. Обладая исключительной производительностью, радиочастотные транзисторы BFU5x генерируют максимальное усиление в 20 дБ и уровень шума в 0,7 дБ на частоте 900 МГц. Эти устройства обеспечивают лучший прием сигнала при низкой и средней мощности и повышают надежность работы радиочастотныx приемников в условияx повышенного шума. При использовании в качестве малошумящиx усилителей или генераторов радиочастотные транзисторы BFU5x поддерживают высокие напряжения питания и высокие напряжения пробоя. Это делает эти устройства xорошо подxодящими для применения в автомобилестроении, связи и промышленности. Семейство продуктов доступно в широком ассортименте стандартныx для отрасли комплектаций, включая SOT323, SOT23 и SOT143.
Технические параметры
| Gain | 18dB |
| Type: | Wideband RF Transistor |
| Brand: | NXP Semiconductors |
| Family | Transistors-Bipolar(BJT)-RF |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Вес, г | 0.05 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | NXP Semiconductors |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Manufacturer: | NXP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | 934067697215 |
| Transistor Type | NPN |
| Standard Package | 1 |
| Transistor Type: | Bipolar Wideband |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Operating Frequency: | 900 MHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Pd - Power Dissipation: | 450 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| DC Current Gain hFE Max: | 200 |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 900MHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 10 GHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+150 C |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 24 V |
| Continuous Collector Current: | 5 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 50 mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 60 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 16 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 8V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |