Моя заявка (0)

BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070054636
Артикул
BFS17NTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
BFS17
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 62,58 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:BFS17
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:Bipolar
Power Dissipation310мВт
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Operating Frequency:3.2 GHz
Transistor Polarity:NPN
DC Current Gain hFE Min56hFE
Pd - Power Dissipation:310 mW
Квалификация-
Emitter- Base Voltage VEBO:3 V
Continuous Collector Current50мА
Collector Emitter Voltage Max11В
Continuous Collector Current:50 mA
DC Ток Коллектора50мА
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:56 at 5 mA, 10 V
DC Усиление Тока hFE56hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft3.2ГГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:11 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-23
Рассеиваемая Мощность310мВт
Полярность ТранзистораNPN
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер11В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности-

Техническая документация