Моя заявка (0)

BFS17NTA, RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw

BFS17NTA, RF Bipolar Transistors SINGLE NPN 3.2GHz 50mA 330mw

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004841607
Артикул
BFS17NTA
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
BFS17
Вес, г
0.01
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 59,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:BFS17
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:Bipolar
Power Dissipation310мВт
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Operating Frequency:3.2 GHz
Transistor Polarity:NPN
DC Current Gain hFE Min56hFE
Pd - Power Dissipation:310 mW
Квалификация-
Emitter- Base Voltage VEBO:3 V
Continuous Collector Current50мА
Collector Emitter Voltage Max11В
Continuous Collector Current:50 mA
DC Ток Коллектора50мА
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:56 at 5 mA, 10 V
DC Усиление Тока hFE56hFE
Линейка Продукции-
Частота Перехода ft3.2ГГц
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:11 V
Корпус РЧ ТранзистораSOT-23
Рассеиваемая Мощность310мВт
Полярность ТранзистораNPN
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Напряжение Коллектор-Эмиттер11В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной Промышленности-

Техническая документация