BFR93AE6327HTSA1, Транзистор n-p-n 15В 0,035A 6ГГц SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061961959
- Артикул
- BFR93AE6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Type
- RF Bipolar Small Signal
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 21,30 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | RF Bipolar Small Signal |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | BFR93 |
| Вид | NPN |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFR93 |
| Unit Weight | 0.00709 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23 |
| Part # Aliases | BFR93AE6327HTSA1 BFR93AE6327XT SP000011066 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 70 at 30 mA at 8 V |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Gain Bandwidth Product fT | 6000 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V |
| Maximum Operating Frequency | 6 GHz |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 90 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | BFR 93A E6327 SP000011066 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.09 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 6000 MHz |