BFR843EL3E6327XTSA1, BFR843EL3 E6327, Транзистор NPN 2.25В 0.055А 0.125Вт hFE=230…580 12ГГц [TSLP-3-10.]
![BFR843EL3E6327XTSA1, BFR843EL3 E6327, Транзистор NPN 2.25В 0.055А 0.125Вт hFE=230…580 12ГГц [TSLP-3-10.]](https://static.epl-electro.ru/lib/601/DOC006601225.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062809094
- Артикул
- BFR843EL3E6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.01
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- npn
- Технология
- SiGe
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | npn |
| Технология | SiGe |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSLP-3 |
| Рабочая частота | 12 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 125 mW |
| Другие названия товара № | BFR 843EL3 E6327 SP001062610 |
| Размер фабричной упаковки | 15000 |
| Непрерывный коллекторный ток | 55 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 25 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.25 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 230 |