BFR840L3RHESDE6327XTSA1, Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.25 V, 75 GHz, 75 mW, 35 mA, TSLP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8399100304
- Артикул
- BFR840L3RHESDE6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- RF Silicon Germanium
- Вес, г
- 4.54
- Серия
- BFR840L3
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 125 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Технические параметры
| Тип | RF Silicon Germanium |
| Вес, г | 4.54 |
| Серия | BFR840L3 |
| Структура | npn |
| Технология | SiGe |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSLP-3 |
| Рабочая частота | 75 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Другие названия товара № | BFR 840L3RHESD E6327 SP000978848 |
| Размер фабричной упаковки | 15000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.9 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 35 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.25 V |