Моя заявка (0)

BFR740L3RHE6327, Транзистор NPN, биполярный, RF, 4В, 40мА, 160мВт, TSLP-3-9

BFR740L3RHE6327, Транзистор NPN, биполярный, RF, 4В, 40мА, 160мВт, TSLP-3-9

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060871257
Артикул
BFR740L3RHE6327
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
RF Silicon Germanium
Brand:
Infineon Technologies
Тип
RF Silicon Germanium
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 94,36 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ биполярные транзисторы NPN Silicn Germanium RF Transistor

Технические параметры

Type:RF Silicon Germanium
Brand:Infineon Technologies
ТипRF Silicon Germanium
Вес, г0.1
Длина1 mm
СерияBFR740L3
Technology:SiGe
Subcategory:Transistors
Высота0.45(Max) mm
Ширина0.6 mm
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TSLP
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Part # Aliases:SP000252393 BFR74L3RHE6327XT BFR740L3RHE6327XTSA1
Transistor Type:Bipolar
УпаковкаReel, Cut Tape
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
ТехнологияSiGe
Factory Pack Quantity:15000
Pd - Power Dissipation:160 mW
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTSLP
Тип транзистораBipolar
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности160 mW
Другие названия товара №BFR740L3RHE6327XTSA1 BFR74L3RHE6327XT SP000252393
Размер фабричной упаковки15000
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C

Техническая документация