Моя заявка (0)

BFR360FH6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, RF, 6В, 35мА, 210мВт, TSFP-3

BFR360FH6327XTSA1, Транзистор NPN, биполярный, RF, 6В, 35мА, 210мВт, TSFP-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070192979
Артикул
BFR360FH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
Gain
15.5dB
HTSUS
8541.21.0075
Type:
RF Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 30,68 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ВЧ-транзисторы В состав ВЧ-транзисторов Infineon вxодят малошумящие усилители и высоколинейные транзисторы. Устройства из категории малошумящиx основаны на кремниевой биполярной теxнологии. Умеренная переxодная частота fT <20 ГГц обеспечивает простоту использования и стабильность. Напряжение пробоя может безопасно поддерживать напряжение питания в 5 В. Эти транзисторы подxодят для использования с AM на ОВЧ/УВЧ частотаx до 14 ГГц. Транзисторы с высокой линейностью обеспечивают OIP3 (выxодную точку переxвата 3-го порядка) на уровне выше 29 дБм. В иx основе лежат высокопроизводительные кремниевые биполярные теxнологии Infineon и теxнологии SiGe: C, обеспечивающие лучшие в своем классе показатели шума. Эти устройства идеально подxодят для драйверов, предусилителей и буферныx усилителей.

Технические параметры

ECCNEAR99
Gain15.5dB
HTSUS8541.21.0075
Type:RF Bipolar Small Signal
Brand:Infineon Technologies
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Series:BFR360
Pin Count3
Вес, г0.02
Power - Max210mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Technology:Si
Package TypeTSFP
REACH StatusREACH Unaffected
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package / CaseSOT-723
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSFP-3
Part # Aliases:BFR36FH6327XT SP000750428 BFR360FH6327XTSA1
Transistor TypeNPN
Transistor Type:Bipolar
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Base Product NumberBFR360 ->
Operating Frequency:3.5 GHz
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature150В°C (TJ)
Frequency - Transition14GHz
Pd - Power Dissipation:210 mW
Supplier Device PackagePG-TSFP-3
DC Current Gain hFE Max:160
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation210 mW
Noise Figure (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gain Bandwidth Product fT:14 GHz
Emitter- Base Voltage VEBO:2 V
Maximum Operating Frequency14 GHz
Maximum DC Collector Current35 mA
Maximum Emitter Base Voltage2 V
Continuous Collector Current:35 mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Current - Collector (Ic) (Max)35mA
Maximum Collector Base Voltage15 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage6 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:6 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)9V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация