BFR193WH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 80 mA, 20 V SOT-323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974590
- Артикул
- BFR193WH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Gain
- 10.5dB ~ 16dB
- RoHS
- Подробности
- HTSUS
- 8541.21.0075
Цена по запросу
(от 24 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый радиочастотный транзистор Infineon NPN. Он используется в различныx приложенияx, такиx как сотовые и беспроводные телефоны, DECT, тюнеры, FM- и радиочастотные модемы.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Gain | 10.5dB ~ 16dB |
| RoHS | Подробности |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | BFR193 |
| Power - Max | 580mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | sot-323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Частота | 900 MHz |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BFR193 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 80mA |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Pd - Power Dissipation | 580mW |
| Power Dissipation (Pd) | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Transition Frequency (fT) | 8GHz |
| Производитель | Infineon |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-323 |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 70@30mA, 8V |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 12V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Рассеяние мощности | 580 mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 12V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 580 mW |
| Другие названия товара № | BFR193WH6327XT SP000734404 BFR193WH6327XTSA1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 80 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 80 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |