Транзистор BFR193E6327
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062676712
- Артикул
- BFR193E6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Series
- BFR193
- Тип
- RF Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Series | BFR193 |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFR193 |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | RF Bipolar Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Part # Aliases | 193 BFR BFR193E6327XT E6327 SP000011056 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 580 mW |
| Maximum Operating Frequency | 8 GHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Maximum DC Collector Current | 80 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Рабочая частота | 8000 MHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 12 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 580 mW |
| Другие названия товара № | BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327XT SP000011056 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.08 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.08 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 30 mA at 8 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |