BFR183E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 65 mA, 20 V SOT-23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974244
- Артикул
- BFR183E6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Type
- RF Bipolar Small Signal
- Brand
- Infineon Technologies
- Width
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 20,66 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый биполярный радиочастотный транзистор Infineon с низким уровнем шума предназначен для широкополосныx усилителей с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления при токаx коллектора от 2 до 30 мА.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | RF Bipolar Small Signal |
| Brand | Infineon Technologies |
| Width | 1.3 mm |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Height | 1 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | BFR183 |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Series: | BFR183 |
| Packaging | Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFR183 |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.00709 oz |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | Transistors |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23 |
| Part # Aliases | BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327XT SP000011054 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BFR 183 E6327 SP000011054 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Operating Frequency | 8000 MHz |
| Transistor Polarity | NPN |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 9000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 450 mW |
| DC Current Gain hFE Max | 70 at 15 mA at 8 V |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Collector- Base Voltage VCBO | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 65 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Рабочая частота | 8000 MHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 12 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 450 mW |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Другие названия товара № | SP000011054 BFR183E6327XT BFR183E6327HTSA1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.065 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 15 mA at 8 V |