BFR181WH6327XTSA1, SOT323-3/RF BIP ТРАНЗИСТОРЫ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070107923
- Артикул
- BFR181WH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Gain
- 19dB
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Тип
- RF Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 28,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотный транзистор NPN 12V 20mA 8 ГГц 175 МВт для поверxностного монтажа PG-SOT323-3
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Gain | 19dB |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.09 |
| Серия | BFR181 |
| Power - Max | 175mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Base Product Number | BFR181 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-323 |
| Maximum DC Collector Current | 20 mA |
| Рабочая частота | 8 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 175 mW |
| Другие названия товара № | BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 20 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |