Моя заявка (0)
BFR181WH6327XTSA1, SOT323-3/RF BIP ТРАНЗИСТОРЫ

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070107923
Артикул
BFR181WH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
Gain
19dB
HTSUS
8541.21.0075
Тип
RF Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 28,19 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Радиочастотный транзистор NPN 12V 20mA 8 ГГц 175 МВт для поверxностного монтажа PG-SOT323-3

Технические параметры

ECCNEAR99
Gain19dB
HTSUS8541.21.0075
ТипRF Bipolar Small Signal
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.09
СерияBFR181
Power - Max175mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-323
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Base Product NumberBFR181 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition8GHz
Supplier Device PackagePG-SOT323-3
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Noise Figure (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-323
Maximum DC Collector Current20 mA
Рабочая частота8 GHz
Тип транзистораBipolar
Current - Collector (Ic) (Max)20mA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности175 mW
Другие названия товара №BFR181WH6327XT BFR181WH6327XTSA1 SP000750418
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)2 V
Непрерывный коллекторный ток20 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.12 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70

Техническая документация