Моя заявка (0)

BFR181E6327HTSA1,Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23

BFR181E6327HTSA1,Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, SOT-23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8315525303
Артикул
BFR181E6327HTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
RoHS
Details
Brand
Infineon Technologies
Series
BFR181
Тип
RF Bipolar Small Signal
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ биполярные транзисторы NPN Silicon RF TRANSISTOR

Технические параметры

RoHSDetails
BrandInfineon Technologies
SeriesBFR181
ТипRF Bipolar Small Signal
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.01
Длина2.9 mm
СерияBFR181
ManufacturerInfineon
Package TypeSOT-23
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)| SOT23-3
Ширина1.3 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23
Part # AliasesBFR181E6327HTSA1 SP000011047
Transistor TypeBipolar
Product CategoryRF Bipolar Transistors
Power Dissipation175 mW
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity3000
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-23
Maximum DC Collector Current20 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Тип транзистораBipolar
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности175 mW
Другие названия товара №BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327XT SP000011047
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C

Техническая документация