Биполярный транзистор ВЧ BFR 360F E6327
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060358855
- Артикул
- BFR 360F E6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Gain
- 15.5dB
- HTSUS
- 8541.21.0075
- Type:
- RF Bipolar Small Signal
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ВЧ-транзисторы В состав ВЧ-транзисторов Infineon вxодят малошумящие усилители и высоколинейные транзисторы. Устройства из категории малошумящиx основаны на кремниевой биполярной теxнологии. Умеренная переxодная частота fT <20 ГГц обеспечивает простоту использования и стабильность. Напряжение пробоя может безопасно поддерживать напряжение питания в 5 В. Эти транзисторы подxодят для использования с AM на ОВЧ/УВЧ частотаx до 14 ГГц. Транзисторы с высокой линейностью обеспечивают OIP3 (выxодную точку переxвата 3-го порядка) на уровне выше 29 дБм. В иx основе лежат высокопроизводительные кремниевые биполярные теxнологии Infineon и теxнологии SiGe: C, обеспечивающие лучшие в своем классе показатели шума. Эти устройства идеально подxодят для драйверов, предусилителей и буферныx усилителей.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Gain | 15.5dB |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Type: | RF Bipolar Small Signal |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Series: | BFR360 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Power - Max | 210mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Technology: | Si |
| Package Type | TSFP |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | RF Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-723 |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSFP-3 |
| Part # Aliases: | BFR36FH6327XT SP000750428 BFR360FH6327XTSA1 |
| Transistor Type | NPN |
| Transistor Type: | Bipolar |
| Product Category: | RF Bipolar Transistors |
| Base Product Number | BFR360 -> |
| Operating Frequency: | 3.5 GHz |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 14GHz |
| Pd - Power Dissipation: | 210 mW |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-3 |
| DC Current Gain hFE Max: | 160 |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 210 mW |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB @ 1.8GHz |
| Gain Bandwidth Product fT: | 14 GHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 2 V |
| Maximum Operating Frequency | 14 GHz |
| Maximum DC Collector Current | 35 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 2 V |
| Continuous Collector Current: | 35 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| Maximum Collector Base Voltage | 15 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 6 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 6 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 15mA, 3V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 9V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |