BFR 182W H6327, Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 35мА, 0,25Вт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002533104
- Артикул
- BFR 182W H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- ECCN
- EAR99
- Gain
- 19dB
- HTSUS
- 8541.21.0075
- P(out)
- 0.25 W
Цена по запросу
(от 40,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 35мА, 0,25Вт, SOT323 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Gain | 19dB |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| P(out) | 0.25 W |
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Polarity | NPN |
| Packaging | REEL |
| Pin Count | 3 |
| U(cc) max | 12 V |
| Automotive | NO |
| Вес, г | 0.05 |
| Серия | BFR182 |
| Frequency f | 8000 MHz |
| Power - Max | 250mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Package Type | SOT-323 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Корпус | sot-323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| RoHS Compliant | Yes |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Base Product Number | BFR182 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Supplier Device Package | PG-SOT323-3 |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-323 |
| Maximum DC Collector Current | 35 mA |
| Рабочая частота | 8 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | BFR182WH6327XT BFR182WH6327XTSA1 SP000750420 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 35 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 35мА |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 12 |