Моя заявка (0)

BFP843H6327XTSA1, Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343

BFP843H6327XTSA1, Bipolar - RF Transistor, NPN, 2.6 V, 125 mW, 55 mA, SOT-343

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8553349656
Артикул
BFP843H6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
PPAP
Unknown
Type
NPN
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 115 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия Infineon BFP представляет собой надежный широкополосный биполярный транзистор с малошумящим гетеропереxодом, предварительно согласованный по радиочастотному диапазону.

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
TypeNPN
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г0.003
PCB changed3
Part StatusActive
Package TypeSOT-343
ConfigurationSingle Dual Emitter
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSOT-343
Структураnpn
Standard Package NameSOT
Minimum DC Current Gain150@15mA@1.8V
Typical Power Gain (dB)24.5
Maximum Noise Figure (dB)1.85
Number of Elements per Chip1
Operational Bias Conditions1.8V/15mA
Maximum DC Collector Current55 mA
Minimum DC Current Gain Range120 to 200
Maximum Power Dissipation (mW)125
Typical Input Capacitance (pF)0.73
Typical Output Capacitance (pF)5.23
Maximum DC Collector Current (A)0.055
Maximum Collector Emitter Voltage2.25 V
Maximum Collector Base Voltage (V)2.9
Maximum Operating Temperature (°C)150
Maximum Power 1dB Compression (dBm)8.5(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)2.25
Maximum DC Collector Current Range (A)0.001 to 0.06
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)24(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)<20

Техническая документация