Моя заявка (0)

BFP843FH6327XTSA1, 2.25V 125mW 150@15mA,1.8V 55mA NPN - BIpolar TransIstors - BJT ROHS

BFP843FH6327XTSA1, 2.25V 125mW 150@15mA,1.8V 55mA NPN - BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070179686
Артикул
BFP843FH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type
NPN
Brand:
Infineon Technologies
Packaging
Tape and Reel
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 81,97 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Технические параметры

TypeNPN
Brand:Infineon Technologies
PackagingTape and Reel
Packaging:Reel, Cut Tape
Power Gain25(dB)
Вес, г1
Technology:Si
Package TypeTSFP
Subcategory:Transistors
ConfigurationSingle Dual Emitter
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TSFP-4
Product Type:RF Bipolar Transistors
DC Current Gain450@15MA@1.8V
Part # Aliases:BFP 843F H6327 SP001062606
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation125мВт
Product Category:RF Bipolar Transistors
Noise Figure (Max)1.7(dB)
Number of Elements1
Структураnpn
Operating Temp Range-55C to 150C
ТехнологияSi
Collector Current (DC)0.055(A)
Collector-Base Voltage2.9(V)
Factory Pack Quantity:3000
DC Current Gain hFE Min150hFE
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTSFP-4
Continuous Collector Current55мА
Collector Emitter Voltage Max2.6В
DC Ток Коллектора55мА
DC Усиление Тока hFE150hFE
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораTSFP
Рассеиваемая Мощность125мВт
Полярность ТранзистораNPN
Другие названия товара №843F BFP H6327 SP001062606
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTSFP
Напряжение Коллектор-Эмиттер2.6В
Максимальная Рабочая Температура150 C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация