BFP840FESDH6327XTSA1, 2.6V 75mW 150@10mA,1.8V 35mA NPN TSFP-4 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074763581
- Артикул
- BFP840FESDH6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- RF Silicon Germanium
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 1
- Серия
- BFP840FESD
Цена по запросу
(от 55,84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Технические параметры
| Тип | RF Silicon Germanium |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | BFP840FESD |
| Package Type | TSFP |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Технология | SiGe |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 75 mW |
| Maximum Operating Frequency | 85 GHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TSFP-4 |
| Maximum DC Collector Current | 35 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Рабочая частота | 85 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Maximum Collector Base Voltage | 2.9 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 2.25 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Другие названия товара № | BFP 840FESD H6327 SP000977846 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 35 mA |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.25 V |