Моя заявка (0)

BFP760H6327XTSA1, Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

BFP760H6327XTSA1, Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001138060
Артикул
BFP760H6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Tab
Tab
Case
SOT343
Type
NPN
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 860 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS

Технические параметры

TabTab
CaseSOT343
TypeNPN
EU RoHSCompliant
MaterialSiGe
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Frequency45GHz
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
TechnologySiGe:C
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Current gain160…400
ManufacturerINFINEON TECHNOLOGIES
Package TypeSOT-343
Polarisationbipolar
ConfigurationSingle Dual Emitter
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1.25
Package Height0.9(Max)
Package Length2
Kind of packagereel, tape
Transistor TypeNPN
Supplier PackageSOT-343
УпаковкаReel, Cut Tape
Collector current70mA
Power dissipation0.24W
Kind of transistorHBT, RF
Type of transistorNPN
Структураnpn
AEC Qualified NumberAEC-Q101
ТехнологияSi
Standard Package NameSOT-343
Minimum DC Current Gain160@35mA@3V
Typical Power Gain (dB)29
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage13V
Maximum Noise Figure (dB)0.95(Min)
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокSOT-343-4
Maximum DC Collector Current70 mA
Minimum DC Current Gain Range120 to 200
Maximum Power Dissipation (mW)240
Typical Input Capacitance (pF)0.65
Typical Output Capacitance (pF)0.42
Maximum DC Collector Current (A)0.07
Maximum Emitter Base Voltage (V)1.2
Maximum Collector Emitter Voltage4 V
Maximum Collector Base Voltage (V)13
Maximum Transition Frequency (MHz)45000(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C)150
Maximum Power 1dB Compression (dBm)14.5(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Maximum Emitter Cut-Off Current (nA)40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)4
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)40
Maximum DC Collector Current Range (A)0.06 to 0.12
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm)31.5(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V)<20
Другие названия товара №760 BFP H6327 SP001023768
Размер фабричной упаковки3000

Техническая документация