Моя заявка (0)

BFP740FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 45 mA, 13 V SOT-343

BFP740FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 45 mA, 13 V SOT-343

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030974587
Артикул
BFP740FH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
RF Silicon Germanium
Brand:
Infineon Technologies
Вес, г
0.23
Серия
BFP740
Цена по запросу
(от 75,73 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Широкополосный биполярный радиочастотный транзистор (HBT) с гетеропереxодом Infineon silicon germanium carbon (SiGe: C) NPN обеспечивает беспроводную связь: WLAN, WiMAX и UWB.

Технические параметры

Type:RF Silicon Germanium
Brand:Infineon Technologies
Вес, г0.23
СерияBFP740
Technology:SiGe
Package TypeSOT-343
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:RF Bipolar Transistors
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TSFP-4
Part # Aliases:SP000750416 BFP74FH6327XT BFP740FH6327XTSA1
Transistor TypeNPN
Transistor Type:Bipolar
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Operating Frequency:42 GHz
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:160 mW
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
DC Current Gain hFE Max:400
ПодкатегорияTransistors
Emitter- Base Voltage VEBO:1.2 V
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTSFP-4
Maximum DC Collector Current45 mA
Collector- Base Voltage VCBO:13 V
Continuous Collector Current:30 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Maximum Collector Emitter Voltage13 V
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:4 V
Другие названия товара №740F BFP BFP74FH6327XT H6327 SP000750416
Размер фабричной упаковки3000

Техническая документация