BFP650H6327, Транзистор: NPN, биполярный, RF, 13В, 0,15А, 0,5Вт, SOT343
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017537004
- Артикул
- BFP650H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon Technologies
- Series
- BFP650
- Тип:
- RF Silicon Germanium
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Биполярный транзистор BFP650H6327 от производителя INFINEON обладает монтажом SMD и выполнен в корпусе SOT343. Этот NPN транзистор выделяется током коллектора 0,15 А, напряжением коллектор-эмиттер 13 В и мощностью 0,5 Вт. Подходит для широкой области применения благодаря своим характеристикам, обеспечивая надежность и эффективность в электронных устройствах. Модель BFP650H6327 идеально подойдет для проектов, требующих компактных и эффективных компонентов. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.15 Напряжение коллектор-эмиттер, В 13 Мощность, Вт 0.5 Корпус SOT343
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon Technologies |
| Series | BFP650 |
| Тип: | RF Silicon Germanium |
| Packaging | Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1.81 |
| Серия: | BFP650 |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | TSFP-4-1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-343-4 |
| Part # Aliases | 650 BFP BFP650H6327XT H6327 SP000750406 |
| Transistor Type | NPN |
| Product Category | RF Bipolar Transistors |
| Структура | npn |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Технология: | SiGe |
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Тип продукта: | RF Bipolar Transistors |
| Transition Frequency (fT) | 37GHz |
| Подкатегория: | Transistors |
| Производитель: | Infineon |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 110@80mA, 3V |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | SOT-343 |
| Рабочая частота: | 37 GHz |
| Тип транзистора: | Bipolar |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 13 V |
| Категория продукта: | РЧ биполярные транзисторы |
| Pd - рассеивание мощности: | 500 mW (1/2 W) |
| Другие названия товара №: | SP000750406 BFP65H6327XT BFP650H6327XTSA1 |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | 1.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | 150 mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.5 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.15 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 4 V |