BFP640H6327, Транзистор биполярный,
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017532555
- Артикул
- BFP640H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- RF Silicon Germanium
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- BFP640
- Transistor Type
- NPN
Цена по запросу
(от 44,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы 4,5 В 200 МВт 50 мА NPN SOT-343 - BJT ROHS
Технические параметры
| Тип | RF Silicon Germanium |
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | BFP640 |
| Transistor Type | NPN |
| Технология | SiGe |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Collector Current (Ic) | 50mA |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
| Рабочая частота | 40 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 4.5V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Другие названия товара № | BFP640H6327XTSA1 BFP64H6327XT SP000745306 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 |