BFP410H6327, 1nA 4.5V 150mW 95@13mA,2V 40mA 25GHz NPN +150°C@(Tj) SOT-343-4 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017600278
- Артикул
- BFP410H6327
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- RF Bipolar Small Signal
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.01
- Серия
- BFP410
Цена по запросу
(от 30,90 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTORS
Технические параметры
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.01 |
| Серия | BFP410 |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package / Case | SOT-343 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-343 |
| Maximum DC Collector Current | 40mA |
| Рабочая частота | 25 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 5V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Другие названия товара № | SP000762244 BFP41H6327XT BFP410H6327XTSA1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 40 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4.5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |