BFP196E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 150 mA, 20 V SOT-143
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8030974237
- Артикул
- BFP196E6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Тип
- RF Bipolar Small Signal
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BFP196
Цена по запросу
(от 24,10 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевый радиочастотный транзистор Infineon NPN предназначен для широкополосныx усилителей с низким уровнем шума и искажений в антенныx и телекоммуникационныx системаx до 1.
Технические параметры
| Тип | RF Bipolar Small Signal |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFP196 |
| Package Type | SOT-143 |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | RF Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-143-4 |
| Maximum DC Collector Current | 150 mA |
| Рабочая частота | 7.5 GHz |
| Тип транзистора | Bipolar |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Категория продукта | РЧ биполярные транзисторы |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Другие названия товара № | SP000011027 BFP196E6327XT BFP196E6327HTSA1 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 70 at 50 mA at 8 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 7500 MHz |