Моя заявка (0)

BFP193WH6327XTSA1, Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343

BFP193WH6327XTSA1, Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-343

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8181202557
Артикул
BFP193WH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Вес, г
0.05
Package Type
SOT-343
Mounting Type
Surface Mount
RoHS Compliant
Yes
Цена по запросу
(от 89 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ВЧ-ТРАНЗИСТОР, NPN, 12 В, 8 ГГц, SOT-343; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo:12 В; Частота переxода ft:8 ГГц; Рассеиваемая мощность Pd:580 МВт; Ток коллектора постоянного тока:80 мА; Коэффициент усиления по постоянному току hFE:70hFE; ВЧ

Технические параметры

Вес, г0.05
Package TypeSOT-343
Mounting TypeSurface Mount
RoHS CompliantYes
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Collector Current (Ic)80mA
Power Dissipation (Pd)580mW
Transition Frequency (fT)8GHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)70@30mA, 8V
Maximum DC Collector Current80 mA
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)12V

Техническая документация