Моя заявка (0)

BFP183WH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 65мА; 0,45Вт; SOT343

BFP183WH6327XTSA1, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 65мА; 0,45Вт; SOT343

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025869520
Артикул
BFP183WH6327XTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
ECCN
EAR99
Gain
22dB
HTSUS
8541.21.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 37,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Радиочастотный транзистор NPN 12V 65mA 8,5 ГГц 450 МВт для поверxностного монтажа PG-SOT343-4

Технические параметры

ECCNEAR99
Gain22dB
HTSUS8541.21.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count4
Вес, г0.02
Power - Max450mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-343
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-82A, SOT-343
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberBFP183 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Collector Current (Ic)65mA
Frequency - Transition8.5GHz
Power Dissipation (Pd)450mW
Supplier Device PackagePG-SOT343-4
Noise Figure (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Transition Frequency (fT)8.5GHz
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)70@15mA, 8V
Maximum DC Collector Current65 mA
Current - Collector (Ic) (Max)65mA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage20 V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 15mA, 8V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V

Техническая документация