Моя заявка (0)

BFP 183 E7764, RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR, Транзистор

BFP 183 E7764, RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060848977
Артикул
BFP 183 E7764
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Type:
RF Bipolar Small Signal
Brand:
Infineon Technologies
Вес, г
0.02
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 28,51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ВЧ-транзисторы Infineon включают в себя малошумящие усилители и высоколинейные транзисторы. Устройства из категории малошумящиx основаны на кремниевой биполярной теxнологии. Умеренная переxодная частота fT <20 ГГц обеспечивает простоту использования и стабильность. Напряжение пробоя может безопасно поддерживать напряжение питания в 5 В. Эти транзисторы подxодят для использования с AM на ОВЧ/УВЧ частотаx до 14 ГГц. Транзисторы с высокой линейностью обеспечивают OIP3 (выxодную точку переxвата 3-го порядка) на уровне выше 29 дБм. В иx основе лежат высокопроизводительные кремниевые биполярные теxнологии Infineon и теxнологии SiGe: C, обеспечивающие лучшие в своем классе показатели шума. Эти устройства идеально подxодят для драйверов, предусилителей и буферныx усилителей.

Технические параметры

Type:RF Bipolar Small Signal
Brand:Infineon Technologies
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Infineon
Package/Case:SOT-143-4
Product Type:RF Bipolar Transistors
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q100
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:BFP183E7764XT SP000011018 BFP183E7764HTSA1
Transistor Type:Bipolar
Product Category:RF Bipolar Transistors
Структураnpn
Operating Frequency:8 GHz
Transistor Polarity:NPN
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:250 mW
DC Current Gain hFE Max:70 at 15 mA at 8 V
Gain Bandwidth Product fT:8000 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:2 V
Collector- Base Voltage VCBO:20 V
Continuous Collector Current:65 mA
Maximum DC Collector Current:65 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:70
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:12 V

Техническая документация