Биполярный транзистор BFN26E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8055405069
- Артикул
- BFN26E6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BFN26
- Высота
- 1 mm
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 13 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFN26 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | TO236 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Другие названия товара № | 26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 70 MHz |