BFN26E6327HTSA1, Транзистор: NPN, биполярный, 300В, 0,2А, 0,36Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008510778
- Артикул
- BFN26E6327HTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Вес, г
- 0.03
- Длина
- 2.9 mm
- Серия
- BFN26
- Высота
- 1 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор биполярный BFN26E6327HTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с NPN структурой. Идеально подходит для широкого спектра электронных применений благодаря своей способности управлять током коллектора до 0,2 А и выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 300 В. Данный транзистор обладает мощностью 0,36 Вт и упакован в компактный корпус SOT23, что делает его оптимальным выбором для интеграции в различные электронные схемы. Модель BFN26E6327HTSA1 характеризуется надежностью и долговечностью, что обеспечивает стабильную работу устройств. Используя код BFN26E6327HTSA1 при заказе, вы получите оригинальный и качественный компонент от известного производителя. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN Монтаж SMD Ток коллектора, А 0.2 Напряжение коллектор-эмиттер, В 300 Мощность, Вт 0.36 Корпус SOT23
Технические параметры
| Вес, г | 0.03 |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | BFN26 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | TO236 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Структура | npn |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Другие названия товара № | 26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 70 MHz |