Моя заявка (0)

BF840,215, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 25мА, 280мВт, SOT23

BF840,215, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 25мА, 280мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014288736
Артикул
BF840,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
Brand
Nexperia
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Цена по запросу
(от 39,51 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
BrandNexperia
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.02
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
SubcategoryTransistors
ManufacturerNexperia
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
КорпусSOT-23(TO-236)
Ширина1.4 mm
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part # AliasesBF840 T/R
Transistor TypeNPN
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Base Product NumberBF840 ->
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition380MHz
Pd - Power Dissipation250 mW
DC Current Gain HFE Max67 at 1 mA, 10 V
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product FT380 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO4 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Collector- Base Voltage VCBO40 V
Continuous Collector Current25 mA
Maximum DC Collector Current25 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
Current - Collector (Ic) (Max)25mA
DC Collector/Base Gain Hfe Min67
кол-во в упаковке3000
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Collector- Emitter Voltage VCEO Max40 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce67 @ 1mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №BF840 T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)4 V
Непрерывный коллекторный ток25 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора25 mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.67 at 1 mA at 10 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)67
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)380 MHz

Техническая документация