Моя заявка (0)
BF820W,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8475316039
Бренд
Nexperia B.V.
Brand
Nexperia
Packaging
Cut Tape or Reel
Вес, г
0.01
Subcategory
Transistors
Цена по запросу
(от 5,20 ₽)
Минимальный заказ: 91 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный транзистор NPN 300В 50мА 200мВт Кус не менее 50 60МГц

Технические параметры

BrandNexperia
PackagingCut Tape or Reel
Вес, г0.01
SubcategoryTransistors
Длина:2.2 mm
ManufacturerNexperia
Product TypeBJTs-Bipolar Transistors
Корпусsot-323
ConfigurationSingle
QualificationAEC-Q101
Высота:1 mm
Ширина:1.35 mm
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Part # AliasesBF820W T/R
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Transistor PolarityNPN
Factory Pack Quantity3000
Технология:Si
Pd - Power Dissipation200 mW
Вид монтажа:SMD/SMT
DC Current Gain HFE Max50 at 25 mA, 20 V
Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
Gain Bandwidth Product FT60 MHz
Квалификация:AEC-Q101
Конфигурация:Single
Подкатегория:Transistors
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Производитель:Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO300 V
Maximum DC Collector Current0.05 A
Торговая марка:Nexperia
Упаковка / блок:SOT-323-3
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain Hfe Min50 at 25 mA, 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max300 V
Категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистора:NPN
Pd - рассеивание мощности:200 mW
Другие названия товара №:934033470115
Размер фабричной упаковки:3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO):5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO):300 V
Минимальная рабочая температура:- 65 C
Максимальная рабочая температура:+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:300 V
Максимальный постоянный ток коллектора:0.05 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.:50 at 25 mA, 20 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):50 at 25 mA, 20 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):60 MHz

Техническая документация