Моя заявка (0)

BF723,115, Trans GP BJT PNP 250V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

BF723,115, Trans GP BJT PNP 250V 0.1A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8039082239
Артикул
BF723,115
Бренд
NXP Semiconductor
Tab
Tab
PPAP
Unknown
Type
PNP
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 1209 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS HV TAPE-7

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
TypePNP
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count4
AutomotiveYes
Вес, г0.05
Длина6.7 mm
PCB changed3
Part StatusActive
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
ConfigurationSingle Dual Collector
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageSC-73
Структураpnp
Вид монтажаSMD/SMT
Minimum DC Current Gain50@25mA@20V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Maximum Base Current (A)0.1
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-4
Maximum Power Dissipation (mW)1200
Maximum DC Collector Current (A)0.1
Maximum Emitter Base Voltage (V)5
Maximum Collector Base Voltage (V)250
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Operating Junction Temperature (°C)150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)250
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности1200 mW
Другие названия товара №BF723 T/R
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.6@5mA@30mA
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)250 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.250 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.50 at 25 mA at 20 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 25 mA at 20 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)60 MHz

Техническая документация