Моя заявка (0)

BDX54CG, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 65Вт, TO220AB

BDX54CG, Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 65Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073750803
Артикул
BDX54CG
Бренд
ON Semiconductor***
Tab
Tab
PPAP
No
RoHS
Details
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 119,86 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

ТРАНЗИСТОР ДАРЛИНГТОНА, TO-220; Полярность транзистора: PNP; Напряжение коллектор-эмиттер V(br) ceo: 100 В; Частота переxода ft:-; Рассеиваемая мощность Pd: 65 Вт; Ток коллектора постоянного тока: 8 А; Коэффициент усиления по постоянному току hFE: 750hFE; Тип корпуса транзистора: TO-220; Количество выводов: 3 контакта; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL:-; SVHC: Вывод (27 июня 2018 г.); Av-ток Ic: 8A; Напряжение насыщения коллектора-эмиттера Vce (включено): -2 В; Постоянный ток коллектора Ic: макс.: 8A; Постоянный ток микросxемы a Max: 8A; Ток микросxемы hFE:3A; Маркировка устройства:BDX54C; Номинальная температура при полной мощности: 25°C; Минимальное значение Hfe:750; Количество транзисторов:1; Минимальная рабочая температура: -65°C; Диапазон рабочиx температур: от -65°C до +150°C; Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт; Тип транзистора: Darlington; Напряжение Vcbo: 100 В

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
RoHSDetails
SVHCYes
TypePNP
BrandON Semiconductor
Width4.83 mm
Height15.75 mm
Length10.53 mm
SeriesBDX54C
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2
PCB changed3
Part StatusObsolete
Unit Weight0.211644 oz
ManufacturerON Semiconductor
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)mm
Mounting StyleThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Package Length10.53(Max)mm
Product CategoryDarlington Transistors
Supplier PackageTO-220AB
Transistor PolarityPNP
Factory Pack Quantity50
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain750@3A@3V
Emitter- Base Voltage VEBO5 V
Number of Elements per Chip1
Collector- Base Voltage VCBO100 V
Maximum DC Collector Current8 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min750
Maximum Power Dissipation (mW)65000
Maximum Base-Emitter Voltage (V)5
Maximum Collector Cut-off Current500 uA
Maximum Collector-Base Voltage (V)100
Collector- Emitter Voltage VCEO Max100 V
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)100
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)200
Maximum Base-Emitter Saturation Voltage (V)2.5@12mA@3A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)8
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)4@12mA@3A|2@12mA@3A

Техническая документация