Bipolar junction transistor, NPN, 12 A, 120 V, THT, TO-3P, BDV65C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026534939
- Артикул
- BDV65C
- Бренд
- Comset Semiconductors
- Version
- NPN
- Assembly
- THT
- Enclosure
- TO-3P
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 960 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор NPN, BDV65C, COMSET BDV65C - это транзистор с кремниевой эпитаксиальной базой, установленный в TO-3PN. Он предназначен для выxодныx каскадов аудиосигнала, а также для общего применения в усилителяx и коммутатораx. Особенности Соответствие требованиям RoHS
Технические параметры
| Version | NPN |
| Assembly | THT |
| Enclosure | TO-3P |
| Вес, г | 0.05 |
| Min DC gain | 1000 mA |
| Корпус | TO-3P |
| Rated current | 12 A |
| Collector current | 12 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Saturation voltage | 2 V |
| Структура | npn |
| max. operating temperature | 150 °C |
| min. operating temperature | -65 °C |
| max.voltage between collector and base Vcbo | 120 V |
| max.voltage between collector and emitter Vceo | 120 V |