Моя заявка (0)

BDV64BG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 125Вт, TO247

BDV64BG, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 10А, 125Вт, TO247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536641
Артикул
BDV64BG
Бренд
ON Semiconductor***
Вид
PNP, Дарлингтон
Тип
биполярный
Pin Count
3
Вес, г
6.13
Цена по запросу
(от 949 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор биполярный PNP Дарлингтон BDV64BG от ONSEMI - идеальный выбор для проектов, требующих высоких напряжений и токов. С монтажом THT, этот компонент обеспечивает ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 100 В, при мощности 125 Вт. Упакованный в надежный TO247 корпус, он гарантирует долговечность и стабильность в широком диапазоне областей применения. Модель BDV64BG отличается высокой эффективностью и простотой в интеграции с вашими проектами. Используя BDV64BG, вы получаете надежность и производительность от ведущего производителя ONSEMI, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP, Дарлингтон Монтаж THT Ток коллектора, А 10 Напряжение коллектор-эмиттер, В 100 Мощность, Вт 125 Корпус TO247

Технические параметры

ВидPNP, Дарлингтон
Типбиполярный
Pin Count3
Вес, г6.13
Package TypeTO-218
Корпусto247
МонтажTHT
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypePNP
Структураpnp
Мощность, Вт125
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation125 W
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-10 A
Maximum Emitter Base Voltage5 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage100 V dc
Ток коллектора, А10
Maximum Collector Emitter Voltage-100 V
Напряжение коллектор-эмиттер, В100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)10
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В100

Техническая документация