BDP947H6327XTSA1, Транзистор n-p-n 45В 3A 3Вт B 85-475 SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070144749
- Артикул
- BDP947H6327XTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- I(C)
- 3 A
- Brand:
- Infineon Technologies
- P(tot)
- 5 W
- V(CBO)
- 45 V
Цена по запросу
(от 89,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор n-p-n 45В 3A 3Вт B 85-475 SOT223 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN
Технические параметры
| I(C) | 3 A |
| Brand: | Infineon Technologies |
| P(tot) | 5 W |
| V(CBO) | 45 V |
| V(CEO) | 45 V |
| Package | SOT223 |
| Packaging | REEL |
| Automotive | AEC-Q(101) |
| Вес, г | 0.26 |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Technology: | Si |
| Current gain | 85 |
| Polarisation | NPN |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | SOT-223-4 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | BDP 947 H6327 SP000748376 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 5 W |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 45 V |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |