Моя заявка (0)

BD787G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Through Hole

BD787G, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 4 A, 15 W, TO-225, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8545734916
Артикул
BD787G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
0.68
Длина
7.74 mm (Max)
Серия
BD787
Цена по запросу
(от 127 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 4A 60V 15W NPN

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.68
Длина7.74 mm (Max)
СерияBD787
Package TypeTO-225
Высота11.04 mm (Max)
Ширина2.66 mm (Max)
Mounting TypeThrough Hole
Transistor TypeNPN
УпаковкаBulk
Структураnpn
Вид монтажаThrough Hole
Minimum DC Current Gain40
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation15 W
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокTO-225-3
Maximum Emitter Base Voltage6 V dc
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage60 V dc
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности15 W
Размер фабричной упаковки500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Непрерывный коллекторный ток4 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)80 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора4 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.4 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)50 MHz

Техническая документация